Elementos de implementación técnica Elementos del método de liberación posterior a CMOS para estructuras sensibles a la viga transversal para hidrófonos vectoriales MEMS

Elementos de implementación técnica:

5. Con el fin de resolver el problema de completar la liberación de la estructura bajo la premisa de ser compatible con cmos mediante el uso del proceso mems, la presente invención proporciona un método de liberación post-cmos para la estructura sensible al haz transversal del hidrófono vectorial mems.

6. La presente invención se logra a través de las siguientes soluciones técnicas: un método para liberar cmos después de una estructura sensible transversal orientada a un hidrófono de vector mems, que comprende los siguientes pasos: paso (1) limpieza orgánica del chip cmos para eliminar las impurezas superficiales; la selección del chip cmos, la orientación del cristal "100", el sustrato de tipo p, la capa de pasivación de nitruro de silicio en el área de superficie mems se ha modelado en el proceso cmos.

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