Método de liberación post-CMOS de estructura sensible transversal para hidrófono vectorial MEMS

Método de liberación de CMOS después de una estructura sensible transversal para hidrófono vectorial mems

campo técnico

1. La presente invención se refiere al campo de los semiconductores, en particular a la protección de paredes laterales de nitruro de silicio y estructuras de silicio sensibles a la liberación de corrosión anisotrópica, en particular a un método de liberación CMOS después de una estructura sensible de haz transversal orientada a un hidrófono de vector mems.

Técnica de fondo:

2. El hidrófono vectorial mems puede detectar información vectorial, como la velocidad de vibración de las partículas submarinas, y se puede aplicar a plataformas de detección subacuáticas, como sistemas de sonda, sumergibles no tripulados bajo el agua y boyas de sonda lanzadas desde el aire, y su rendimiento ha recibido una gran atención. . El hidrófono vectorial mems integrado por cmos puede mejorar en gran medida el rendimiento del hidrófono vectorial y tiene buenas perspectivas de desarrollo.

3. La integración posterior a CMOS en el esquema de integración de cmos es un tema de investigación candente en la actualidad. En este esquema, cómo usar el proceso mems para completar la liberación de la estructura bajo la premisa de ser compatible con cmos es un gran desafío. En el proceso mems tradicional, la fotolitografía se usa para transferir el patrón de máscara a la oblea de silicio, y la precisión de la fotolitografía en el proceso mems a menudo no es tan buena como la del proceso cmos, y los pasos de fotolitografía reducen la eficiencia de producción y aumentan el costo de producción. . También es un problema que debe estudiarse para realizar la producción en masa de chips.

4. Para resolver este problema, en base a la estructura sensible del hidrófono del vector mems, la presente invención diseña un método de liberación de mems post-cmos que no requiere litografía y es compatible con cmos.

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