Los elementos de realización técnica del método de liberación posterior a CMOS para la estructura sensible transversal para hidrófonos vectoriales MEMS:

Elementos de implementación técnica:

5. Con el fin de resolver el problema de completar la liberación de la estructura bajo la premisa de ser compatible con cmos mediante el uso del proceso mems, la presente invención proporciona un método de liberación post-cmos para la estructura sensible al haz transversal del hidrófono vectorial mems.

6. La presente invención se logra a través de las siguientes soluciones técnicas: un método para liberar cmos después de una estructura sensible transversal orientada a un hidrófono de vector mems, que comprende los siguientes pasos: paso (1) limpieza orgánica del chip cmos para eliminar las impurezas superficiales; la selección del chip cmos, la orientación del cristal "100", el sustrato de tipo p, la capa de pasivación de nitruro de silicio en el área de superficie mems se ha modelado en el proceso cmos.

7. Paso (2) Grabado profundo de silicio del sustrato de silicio, utilizando la capa de pasivación de nitruro de silicio como máscara para grabar el silicio expuesto; lata de grabado de silicona profunda

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